型号:

HAT2173H

RoHS:
制造商:Renesas Electronics America描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
标准包装 2,500
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 15 毫欧 @ 12.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) -
闸电荷(Qg) @ Vgs 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4350pF @ 10V
功率 - 最大 30W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100,SOT-669
供应商设备封装 LFPAK
包装 带卷 (TR)
相关参数
293D225X9035C2TE3 Vishay Sprague CAP TANT 2.2UF 35V 10% 2312
F971V334MAA Nichicon CAP TANT 0.33UF 35V 20% 1206
STPS20H100CR STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 100V 10A I2PAK
3269P-1-104GLF Bourns Inc. TRIMMER 100K OHM 0.25W SMD
F971V334MAA Nichicon CAP TANT 0.33UF 35V 20% 1206
FST30100 Microsemi Commercial Components Group DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO247
HAT2172N Renesas Electronics America MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK-I
F971V334MAA Nichicon CAP TANT 0.33UF 35V 20% 1206
STPS40150CT STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB
3269P-1-102GLF Bourns Inc. TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD
F971E474MAA Nichicon CAP TANT 0.47UF 25V 20% 1206
HAT2167H Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
3269P-1-101GLF Bourns Inc. TRIMMER 100 OHM 0.25W SMD
STPS15L30CDJFTR STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 30V 7.5A PWRFLAT
F971E474MAA Nichicon CAP TANT 0.47UF 25V 20% 1206
HAT2166H Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
3269P-1-100GLF Bourns Inc. TRIMMER 10 OHM 0.25W SMD
STPS15L30CDJFTR STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 30V 7.5A PWRFLAT
HAT2165H Renesas Electronics America MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
F971E474MAA Nichicon CAP TANT 0.47UF 25V 20% 1206